{C} 中华人民共和国最高人民法院 行 政 判 决 书 （2020）最高法知行终36号 上诉人（原审原告）：豪威科技股份有限公司（OmnivisionTechnologies,Inc）。
住所地：美利坚合众国加利福尼亚州圣克拉拉县波顿大道**（4275BurtonDrive,SantaClare,CA95054）。
代表人：杨洪利（HongliYang），该公司总裁。
委托诉讼代理人：李小波，北京同立钧成知识产权代理有限公司专利代理师。
委托诉讼代理人：谢百韬，北京同立钧成知识产权代理有限公司专利代理师。
被上诉人（原审被告）：中华人民共和国国家知识产权局。
住所。
住所地：中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**div> 法定代表人:申长雨，该局局长。
委托诉讼代理人:熊洁，该局审查员。
委托诉讼代理人:万琦，该局审查员。
原审第三人：江苏思特威电子科技有限公司。
住所。
住所地：中华人民共和国江苏省常熟经济技术开发区科创园**div> 法定代表人：徐辰，该公司董事长。
委托诉讼代理人：金旭鹏，北京恒都律师事务所专利代理师。
委托诉讼代理人：周泉，北京恒都律师事务所专利代理师。
上诉人豪威科技股份有限公司（以下简称豪威公司）因与被上诉人中华人民共和国国家知识产权局（以下简称国家知识产权局）、原审第三人江苏思特威电子科技有限公司（以下简称思特威公司）发明专利权无效行政纠纷一案,不服北京知识产权法院于2019年9月16日作出的（2019）京73行初4315号行政判决，向本院提起上诉。
本院于2020年1月13日立案后，依法组成合议庭进行了审理。
本案现已审理终结。
豪威公司上诉请求：请求依法撤销原审判决和国家知识产权局第38663号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），并责令国家知识产权局重新作出无效宣告请求审查决定。
事实和理由：一、原审判决存在程序违法的错误，导致错误判决。
第一，原审程序中，第三人举证违反法律规定。
第三人举证超过举证期限，且相关证据并非新证据；
第三人逾期提交的证据均非本次无效宣告请求审查决定所依据的证据。
第二，原审判决采纳非本案相关人杨小军的陈述，存在严重的程序违法的错误。
原审判决中的第三人杨小军，并非该行政行为中相对的第三人；
原审判决基于其所增加的案外人、非相对人杨小军的陈述而作出判决，进一步违反了证据规则，严重违反了《中华人民共和国行政诉讼法》第四十三条的规定。
第三，原审判决存在超范围裁判的问题，且该问题导致判决的错误。
原审判决评述创造性所采用的证据组合，并非原无效宣告请求人所主张的证据组合、亦非被诉决定做出时审查过的证据组合，原审判决违反《行政诉讼法》的规定；
针对新的证据组合，原审法院未给予上诉人合理的质证和答辩时间，严重损害了上诉人的合法权益。
二、原审判决和被诉决定的技术事实认定不清、审理/审查方法错误，导致判决/决定的错误。
原审判决和被诉决定对本专利技术构思理解错误；
原审判决和被诉决定认定本专利权利要求1部分特征被对比文件1所公开的技术事实认定错误；
三、原审判决、被诉决定在本案技术事实认定时存在审理/审查方法的严重错误，导致事实认定的错误。
半导体工艺中各步骤所对应的过渡态并不是产品；
对比文件1所示结构信息是其封闭工艺步骤中一个过渡态，不是一个技术方案，作为技术方案是不成立的；
对比文件1图4封闭工艺步骤对应的过渡态不能作为专利法角度的技术方案。
被诉决定的审查方法存在错误；
被诉决定的审查方法违背专利创造性审查的基本规则。
四、原审判决对本专利权利要求1技术特征事实的认定存在更多的错误。
原审判决对本专利权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征认定前后矛盾；
原审判决将并非本专利权利要求1的特征认定为本专利权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征。
五、原审判决对权利要求2-15的事实认定错误。
六、原审判决中出现多处形式错误，进一步佐证原审判决对于本案的审理存在的法律程序的混乱与错误、技术事实认定不清的问题。
国家知识产权局答辩称：坚持决定意见，原审判决认定事实清楚、适用法律法规正确、审理程序合法，请求依法驳回豪威公司的上诉，维持原判。
思特威公司述称：原审判决及被诉决定认定事实清楚、适用法律正确，请求人民法院驳回豪威公司上诉，维持原判。
豪威公司向原审法院提起诉讼，原审法院于2019年4月19日立案受理，豪威公司起诉请求：撤销被诉决定，并重新作出审查决定。
国家知识产权局原审辩称：坚持被诉决定意见。
思特威公司原审述称：同意国家知识产权局意见。
原审法院认定事实： 本专利系专利号为ZL2009XXXX4512.8，名称为“具有栅极有源区域上的触点的晶体管”的发明专利（简称本专利），申请日为2009年5月8日，优先权日为2008年5月30日，专利权人为豪威公司。
本专利授权公告时的权利要求如下： 1.一种电路，包括： 晶体管栅极，其形成于集成电路的衬底上；
栅极绝缘体，其形成于所述晶体管栅极与所述集成电路的所述衬底之间，且其中所述栅极绝缘体的一部分为所述晶体管栅极界定有源区域；
绝缘层，其形成于所述晶体管栅极上；
金属触点插塞，其形成于直接在所述有源区域上的所述绝缘层的一部分中，所述金属触点插塞与所述晶体管栅极形成电接触，并且其中所述金属触点形成于位于栅极氧化层上的所述晶体管栅极的区域上；
以及配置于所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述栅极绝缘体是氧化层。
3.如权利要求1所述的电路，还包括第一隔离区域和第二隔离区域，其置于所述衬底内以使得所述栅极绝缘体位于所述第一隔离区域与所述第二隔离区域之间。
4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一隔离区域与第二隔离区域是浅槽隔离(STI)区域。
5.如权利要求1所述的电路，其特征在于，位于所述栅极绝缘体下的所述衬底的一部分用N型掺杂物掺杂。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述晶体管栅极由多晶硅、多晶硅/硅化物或金属组成。
7.如权利要求6所述的电路，其特征在于，所述硅化物包括Ni、W、Ti或Co。
8.如权利要求7所述的电路，其特征在于，所述金属触点插塞包括Ti/TiN/W金属叠层、Ti/TiN/Al金属叠层或Ti/TiN/Cu金属叠层。
9.一种方法，包括： 在衬底内提供掺杂区域；
在所述掺杂区域上形成栅极氧化层；
在所述掺杂区域内形成第一隔离区域和第二隔离区域，使得所述栅极氧化层的一部分保持在所述第一隔离区域与所述第二隔离区域之间；
在所述栅极氧化层的保持部分上沉积晶体管栅极；
在所述晶体管栅极上沉积绝缘体区域；
形成金属插塞，其垂直延伸穿过所述绝缘体区域以提供与所述晶体管栅极的电接触，且至少部分地形成于位于所述第一隔离区域与该第二隔离区域之间的所述栅极氧化层的所述保持部分的一区域上；
以及在所述晶体管栅极上提供触点蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属插塞形成为具有下端，所述下端在所述晶体管栅极的顶面之下且在所述晶体管栅极的底面之上。
11.一种电器件，包括： 晶体管栅极，其置于衬底内；
栅极绝缘体，其置于所述晶体管栅极下，且其中所述栅极绝缘体的一部分控制所述晶体管栅极的有源区域；
第一隔离区域和第二隔离区域，二者各自置于所述有源区域的相对侧上；
绝缘层，其置于所述晶体管栅极上；
金属触点插塞，其垂直延伸穿过直接位于所述有源区域上的所述绝缘层的一部分，所述金属触点插塞提供与所述晶体管栅极的电接触，并且其中所述金属触点形成于位于栅极氧化层上的所述晶体管栅极的区域上；
以及在所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的界面上的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti,所述蚀刻停止层形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。
12.如权利要求11所述的电器件，其特征在于，所述电器件是逻辑器件、CMOS成像器、CCD成像器或存储器件。
13.如权利要求12所述的电器件，其特征在于，所述存储器件是DRAM、SRAM或闪存器件。
14.如权利要求13所述的电器件，其特征在于，所述闪存器件基于NOR栅极技术。
15.如权利要求11所述的电器件，还包括经图案化的金属化层，所述金属化层形成于所述绝缘层上，且电耦合至所述金属触点插塞的上端。
证据1为对比文件1，系US6001726A号美国专利文献（专利时间1999年12月14日）。
权利要求： 1.一种形成接触结构的方法，该方法包括以下步骤： 形成硅化物层；
形成覆盖硅化物层的氮化钨层；
形成覆盖氮化钨层的介电层；
蚀刻穿过介电层的接触开口以暴露一部分氮化钨层，其中氮化钨层用作蚀刻终止层；
以及在接触开口内形成导电材料并覆盖氮化钨层的一部分以形成与硅化物层的电接触。
2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤： 在接触开口内形成导电材料之后去除介电层，使用对导电材料和氮化钨层具有选择性的第一蚀刻化学剂进行去除，去除步骤暴露了氮化钨层的不在导电材料下面的部分；
以及使用不同于第一蚀刻化学剂的第二蚀刻化学剂去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述移除步骤包括： 使用干蚀刻化学剂作为第一蚀刻化学剂去除介电层；
以及使用各向同性蚀刻工艺作为第二蚀刻化学剂去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述移除步骤包括： 使用湿蚀刻化学剂作为第一蚀刻化学剂去除介电层；
以及使用各向同性蚀刻工艺作为第二蚀刻化学剂去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分。
5.如权利要求2所述的方法，其中去除不在导电材料下面的氮化钨层的步骤包括： 使用各向同性蚀刻化学剂去除不在导电材料下面的氮化钨层，其中各向同性蚀刻化学剂包含H2O2，NH4OH和H2O，该各向同性蚀刻化学剂对导电材料具有选择性。
6.如权利要求2所述的方法，还包括： 在去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分之前，形成与导电材料的侧壁邻近的侧壁间隔物。
7.如权利要求2所述的方法，还包括： 在去除氮化钨层的不在导电材料下面的部分的步骤之后，形成与导电材料的侧面邻近的臭氧TEOS层。
8.如权利要求1所述的方法，其中形成导电材料的步骤包括： 形成具有氮化钛胶层的导电材料，所述氮化钛胶层位于钨互连区域下方。
9.如权利要求1所述的方法，还包括： 在形成介电层的步骤之前去除部分氮化钨层。
10.一种形成接触结构的方法，该方法包括以下步骤： 提供衬底；
形成覆盖在衬底上的栅电极；
在衬底内形成电流电极，其与栅电极横向相邻；
形成覆盖栅电极和电流电极的硅化物区域；
形成覆盖硅化物区域的氮化钨蚀刻终止层；
形成覆盖氮化钨蚀刻终止层的第一介电层；
形成穿过第一介电层的接触开口，该接触开口暴露氮化钨蚀刻终止层的第一部分，该部分覆盖硅化物区域。
所述开口内形成导电胶层，所述导电胶层与所述氮化钨蚀刻终止层的第一部分接触，所述第一部分覆盖所述硅化物区域；
在接触开口内形成覆盖导电胶层的导电插塞区域；
去除第一介电层以暴露氮化钨蚀刻终止层的第二部分，其不同于氮化钨蚀刻终止层的第一部分。
将氮化钨蚀刻终止层的第二部分暴露于包括H2O2，NH4OH和H2O中的一种或多种的蚀刻化学剂，以去除氮化钨蚀刻终止层的第二部分，同时基本上不去除覆盖硅化物区域的氮化钨蚀刻终止层的第一部分；
以及形成覆盖并横向邻近导电插塞区域的第二介电层，以使导电插塞区域绝缘。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一介电层形成为硼磷硅酸盐(BPSG)层。
12.如权利要求10所述的方法，其中去除第一介电层的步骤包括： 形成与接触结构横向相邻的侧壁间隔物，其中接触结构是由导电插塞区域和导电胶层形成的，以将接触结构与用于去除氮化钨蚀刻终止层的第二部分的蚀刻化学剂隔离。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二介电层至少部分地形成为臭氧四乙基原硅酸盐(TEOS)玻璃层。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述硅化物区域是硅化钛区域。
15.如权利要求10所述的方法，其中所述硅化物区域是硅化钴区域。
16.如权利要求10所述的方法，其中，电流电极是浅电极，其掺杂深度小于0.1微米。
17.一种形成接触结构的方法，该方法包括以下步骤：形成覆盖衬底的栅电极；
在衬底内形成与栅电极相邻的源电极和漏电极；
形成覆盖栅电极、源电极和漏电极的硅化物区域；
在硅化物区域上形成导电金属层，以使硅化物区域电短路在一起；
形成覆盖导电金属层的介电层；
蚀刻穿过介电层的开口，以暴露导电金属层的覆盖硅化物区域的第一部分；
用导电材料填充开口以形成导电接触区域；
去除介电层以暴露导电金属层的第二部分，其与导电金属层的第一导电部分相邻；
以及去除导电金属层的第二部分，使得导电金属层的第一和第二部分现在彼此电隔离。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述金属层是氮化钨层。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述氮化钨层的厚度小于200埃。
证据2为对比文件2，公开号系CN1531109A的中国专利文献（优先权日为2003年3月7日，申请日为2004年9月22日），专利名称为半导体器件及其形成方法。
权利要求： 1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底；
在半导体衬底中限定有源区的多个隔离区；
有源区上的栅电极，其中栅电极包括多晶硅层上的金属硅化物层；
以及在栅电极上且电连接到栅电极的导电层；
其中在金属硅化物层中导电层至少桥接的一个间隙。
2.如权利要求1的半导体器件，其中导电层直接在金属硅化物层上。
3.如权利要求1的半导体器件，还包括有源区和栅电极之间的栅绝缘图形。
4.如权利要求1的半导体器件，其中导电层是导电线条图形。
5.如权利要求4的半导体器件，其中导电线条图形由铝、钨、钛、钽或铜的至少一种形成。
6.如权利要求4的半导体器件，还包括半导体衬底上的层间介质，并且其中导电线条图形布置在层间介质中的凹槽中。
7.如权利要求6的半导体器件，其中层间介质包括第二凹槽，以及其中该器件还包括使半导体器件中的源/漏区与相邻的半导体器件的源/漏区电连接的栓塞线。
8.如权利要求1的半导体器件，还包括半导体衬底上的平整的层间介质，其中在半导体衬底上平整的层间介质的顶面和栅电极的顶面基本上在同一高度。
9.如权利要求1的半导体器件，还包括半导体衬底中的第二有源区，其上具有第二栅电极，其中第二栅电极包括多晶硅层上的金属硅化物层，其中导电层是电连接栅电极和第二栅电极的导电线条图形。
10.如权利要求9的半导体器件，其中导电线条图形直接在栅电极和第二栅电极上。
11.如权利要求1的半导体器件，其中导电层减小电极的电阻。
12.一种半导体器件，包括半导体衬底；
包括在半导体衬底上顺序地层叠的栅绝缘图形和栅电极的栅极线，在栅极线的侧壁上形成的隔片；
以及布置在栅极线上的导电线条图形，以及其中导电线条图形平行于栅极线并且电连接到栅电极。
13.如权利要求12的半导体器件，其中栅电极包括掺杂的多晶硅层。
14.如权利要求13的半导体器件，还包括金属硅化物层，其中金属硅化物层在掺杂的多晶硅层上。
15.如权利要求14的半导体器件，还包括半导体衬底上的层间介质，层间介质包括露出栅极线的顶面的凹槽，以及其中在凹槽中提供导电线条图形。
16.如权利要求15的半导体器件，还包括在半导体衬底和层间介质之间的刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率。
17.如权利要求12的半导体器件，还包括在半导体衬底上形成的层间介质，层间介质被平整到栅极线的顶面。
18.如权利要求12的半导体器件，其中导电线条图形至少具有与栅极线相同的长度。
19.如权利要求12的半导体器件，其中导电线条图形由金属构成。
20.如权利要求14的半导体器件，其中在金属硅化物层中导电层至少桥接一个间隙。
21.如权利要求12的半导体器件，其中导电层减小栅电极的电阻。
22.一种半导体器件，包括：半导体衬底；
在半导体衬底上且彼此隔开的第一栅极线和第二栅极线，第一栅极线包括在第一栅绝缘图形上层叠的第一栅电极，第二栅极线包括在第二栅绝缘图形上层叠的第二栅电极；
以及第一和第二栅极线上的导电线条图形，其中导电线条图形具有平行于第一栅极线的第一部分和平行于第二栅极线的第二部分，以及其中导电线条图形将第一和第二栅电极彼此电连接。
23.如权利要求22的半导体器件，其中第一和第二栅极线包括掺杂的多晶硅层。
24.如权利要求23的半导体器件，其中第一和第二栅极线还包括掺杂的多晶硅层上的金属硅化物层。
25.如权利要求22的半导体器件，还包括布置在第一和第二栅极线的侧壁上的隔片和覆盖包括露出第一和第二栅极线的顶面的凹槽的半导体衬底的层间介质；
以及其中导电线条图形布置在层间介质中的凹槽中。
26.如权利要求25的半导体器件，还包括在半导体衬底和层间介质之间的刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率。
27.如权利要求22的半导体器件，还包括半导体衬底上的层间介质，层间介质被平整到第一和第二栅极线的高度。
28.如权利要求22的半导体器件，其中导电线条图形的第一部分至少是与第一栅极线相同的长度，以及导电线条图形的第二部分至少是与第二栅极线相同的长度。
29.如权利要求22的半导体器件，其中导电线条图形由金属构成。
30.如权利要求24的半导体器件，其中在金属硅化物层中导电层至少桥接一个间隙。
31.如权利要求22的半导体器件，其中导电层减小栅电极的电阻。
32.一种形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成包括至少一个栅绝缘图形和栅电极的栅极线；
在栅极线的侧壁上形成的隔片；
在半导体衬底、隔片和栅极线上形成层间介质；
露出栅极线的顶面；
以及在露出的栅极线上形成平行于栅极线的导电线条图形。
33.如权利要求32的方法，其中栅电极至少包括掺杂的多晶硅层。
34.如权利要求33的方法，其中栅电极还包括金属硅化物层，以及其中金属硅化物层形成在掺杂的多晶硅层上。
35.如权利要求32的方法，其中露出栅极线的顶面包括构图层间介质以形成露出栅极线的顶面的凹槽，以及其中形成导电线条图形包括在半导体衬底的整个表面上形成导电层以填充凹槽，然后平整化导电层直到层间介质的顶面，以在凹槽中形成导电线条图形。
36.如权利要求35的方法，其中该方法还包括： 在形成层间介质之前，在包括隔片的半导体衬底的整个表面上形成刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率；
在构图层间介质之后，构图栅极线上的刻蚀停止层以露出栅极线的顶面。
37.如权利要求32的方法，其中露出栅极线的顶面包括平整化层间介质直到栅极线的顶面露出，以及其中形成导电线条图形包括在半导体衬底上和露出的栅极线上形成导电层，然后构图导电层以在栅极线上形成导电线条图形。
38.如权利要求32的方法，其中导电线条图形由金属构成。
39.一种形成半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成第一栅极线和与第一栅极线隔开的第二栅极线，第一栅极线包括在第一栅绝缘图形上层叠的第一栅电极，并且第二栅极线包括在第二栅绝缘图形上层叠的第二栅电极；
在第一和第二栅极线的侧壁上形成的隔片；
在半导体衬底和隔片上形成层间介质；
露出第一栅极线的顶面和第二棚极线的顶面；
以及在第一和第二栅极线露出的顶面上形成导电线条图形，其中导电线条图形电连接第一和第二栅电极。
40.如权利要求39的方法，其中第一和第二栅电极每个至少包括掺杂的多晶硅层。
41.如权利要求40的方法，其中第一和第二栅电极每个还包括在掺杂多晶硅层上的金属硅化物层。
42.如权利要求39的方法，其中露出栅极线的顶面和形成导电线条图形包括： 构图层间介质以形成露出第一和第二栅极线的顶面的凹槽；
在半导体衬底的表面上形成导电层以填充凹槽；
以及平整化导电层直到层间介质的顶面，以在凹槽中形成导电线条图。
43.如权利要求42的方法，其中该方法还包括： 在形成层间介质之前，在包括隔片的半导体衬底的整个表面上形成刻蚀停止层，其中刻蚀停止层相对于层间介质具有刻蚀选择率；
以及在构图层间介质之后构图刻蚀停止层，以露出栅极线的顶面。
44.如权利要求39的方法，其中露出栅极线的顶面包括平整化层间介质直到第一和第二栅极线的顶面露出，以及其中形成导电线条图形包括在半导体衬底上和露出的第一和第二栅极线上形成导电层，然后构图导电层以在第一和第二栅极线的顶面上形成导电线条图形。
45.如权利要求39的方法，其中导电线条图形由金属构成。
证据3为《半导体器件物理与工艺（第二版）》（180页）及《半导体制造工艺基础》（173页），第三人提交该证据证明MOS晶体管的基本结构包括：栅极、栅氧化层、源极、漏极、有源区、衬底。
MOS晶体管具有沿源极漏极连线的AA’方向，以及沿垂直于栅极的BB’方向，这是两个完全不同、彼此垂直的方向。
证据4《微电子制造中Ti的湿法刻蚀》（选自《工艺技术与材料》，半导体技术第32卷第2期）与《硅微机械加工技术》第256页。
第三人提交该证据证明蚀刻停止层包括Ti。
证据5为《硅微机械加工技术》第255页，第三人提交该证据证明进行蚀刻过程中需要考虑被相同蚀刻剂刻蚀的材料的刻蚀率之比。
证据6为《芯片制造——半导体工艺制程实用教程（第四版）》第173页，第三人提交该份证据证明本领域公知执行部分过刻蚀可以使得沉积的金属栅极中从而增大接触面积。
证据7为无效宣告口头审理记录表，第三人提交该证据用以证明专利口审过程中当庭各方发表的意见。
针对上述庭审中思特威公司提交的补充证据，豪威公司认为，思特威公司提交的证据真实性无异议。
本案证据交换已经结束，现提交的证据不符合规定，不能作为本案认定依据。
全文没有提到蚀刻停止层包含钛。
原审庭审中，豪威公司表示，现有技术偏离了130，很容易把栅极绝缘层击穿，本专利方案把金属插塞做在栅极绝缘层的正上方，体积更小、响应速度更快。
现有技术做不到。
现有技术需要先打孔，很容易把氧化层击穿，本专利能够精准的控制，能够把金属插塞做到栅极绝缘层的正上方。
上述事实，有经原审庭审质证的本专利授权公告文本及各方当事人陈述等证据在案佐证。
原审法院认为，授予专利权的发明和实用新型，应当具备新颖性、创造性和实用性。
其中，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
本案争议焦点为涉案专利是否具备创造性。
在判断要求保护的发明相对于现有技术是否显而易见，通常按照三个步骤来进行。
（1）确定最接近的现有技术；
（2）确定发明的区别特征和发明实际解决的技术问题；
（3）判断要求保护的发明对本领域的技术人员来说是否显而易见。
如果所述区别技术特征为另一份对比文件中披露的相关技术手段，该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别特征在要求保护的发明中为解决该重新确定的技术问题所起的作用相同，通常认为现有技术中存在上述技术启示。
本发明专利的技术区别与对比文件1的区别特征包括：形成金属插塞（270），其垂直延伸穿过所述绝缘体区域（260）以提供与所述晶体管栅极（250）的电接触，为防止蚀刻时穿透栅极氧化层导致短路，在晶体管栅极（250）与绝缘体区域（260）之间配置一层金属钛（Ti）合金，配置于所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的蚀刻停止层，其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极的厚度的四分之一的厚度。
豪威公司称，在将对比文件1与本专利进行比对时，被诉决定错误地将对比文件1的中间产品与本专利的最终形态产品进行比对，导致得出了错误的结论。
另外，基于本专利的晶体管结构，能够采用前述技术方案介绍本专利的工艺进行制备。
相对于对比文件1的制备工艺，本专利的工艺步骤减少，能够有效减少工艺流程，而且本专利中蚀刻的次数和面积同样大大减小，从而极大地降低成本。
基于本专利的方案，金属触点插塞和栅极之间可以实现直接电接触，而无需必须通过刻蚀停止层接触，因此能够提高导电率。
综合涉案证据来看，国家知识产权局在进行比对时，系将本专利与对比文件1的技术方案进行比对，而非对双方产品进行比对，豪威公司该项辩称缺乏依据，原审法院不予采信。
对于豪威公司主张的本专利的晶体管结构，工艺步骤减少，把金属插塞做在栅极绝缘层的正上方，体积更小，响应速度更快。
在对比文件1中亦采用了将金属插塞至于栅极绝缘层正上方，该技术不具有显著的技术进步的特点。
一般而言，MOSFET结构均包含了衬底、源区、漏区、栅极、金属触点及绝缘层等，在对比文件1、2已经公开了采取蚀刻停止层来防止金属触点过蚀刻导致短路，本专利技术要求1的技术方案是金属触点插塞与晶体管栅极形成电接触，同时，该蚀刻停止层的厚度为栅极的1/4。
豪威公司认为该技术方案能够防止过蚀刻，同时扩大金属插塞与栅极接触面，从而稳定、高效传输电流，在源区域漏区之间形成连接或断开，从而处理信号。
但是，每个结构体之间是单独的断开状态，故需要对蚀刻停止层进行断路处理。
相对于对比文件1、2，豪威公司认为本专利的金属插塞穿透蚀刻停止层，与晶体管栅极直接接触，但从本专利权利要求来看，权利要求表述为形成电接触，而蚀刻停止层采用的包含Ti等，其本身即可导电，在不穿透蚀刻停止层时亦能实现权利要求中的电接触，故对比文件2亦采用了蚀刻停止层实现电接触，本专利该项技术特征相较于对比文件2不具有创新。
对于蚀刻停止层为1/4是否为区别技术特征，本专利中权利要求中对蚀刻停止层为1/4所能达到的效果及采用1/4的原因未进行阐述，亦未有实验数据证实蚀刻层设置为1/4的技术优势。
故原审法院难以认定本专利设置蚀刻停止层的1/4的厚度，系在先技术的实质性改进，亦不能作为区别技术特征。
采用Ti合金在内的硬质金属导电材料，在先的技术文献中亦被广泛论证和提及，即便豪威公司在本案中使用了该金属材料，在功能上并不具备创新，相对于其他金属而言，未取得实质性技术创新。
权利要求2-8是基于权利要求1的从属权利要求，由于权利要求1不具备创造性，因此，其从属权利要求2-8也不具备创造性。
权利要求9的区别技术特征：9-1形成金属插塞，其垂直延伸穿过所述绝缘体区域以提供与所述晶体管栅极的电接触。
9-2在所述晶体管栅极上提供触点蚀刻停止层。
9-3其中所述蚀刻停止层包括Ti，且形成为所述晶体管栅极厚度的四分之一的厚度。
结合本案中相应的技术文献资料，该区别特征不具备创造性。
权利要求10引用权利要求9，权利要求10也不具备创造性。
权利要求11的区别技术特征包括：11-1所述金属触点插塞提供与所述晶体管栅极的电接触；
11-2在所述晶体管栅极与所述绝缘层之间的界面上的蚀刻停止层；
11-3其中所述蚀刻停止层包括Ti，且所述晶体管栅极厚度的1/4厚度。
结合本案中相应的技术文献资料，该区别特征亦不具创造性。
权利要求12-15是从属权利要求，因此从属权利要求12-15也不具备创造性。
综上，原审法院认为被诉决定证据确凿，适用法律、法规正确，符合法定程序。
豪威公司的诉讼请求缺乏事实与法律依据，原审法院不予支持。
依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决驳回豪威公司的诉讼请求。
一审案件受理费一百元，由豪威公司负担。
本院二审期间，豪威公司为证明其主张，向本院提交三份公知常识证据：1.《硅集成电路工艺基础》书籍节选，关旭东编著，北京大学出版社2003年10月第1版；
2.《半导体集成电路制造技术》书籍节选，张亚非等编著，高等教育出版社2006年6月版；
3.《半导体器件欧姆接触中的扩散阻挡层》论文，均欲证明蚀刻阻挡层可以减小整个器件的接触电阻、提高器件相应速率。
国家知识产权局的质证意见为：对证据1、2的真实性予以认可，但与本案无关，证据3不属于公知常识证据。
思特威公司的质证意见为：同国家知识产权局质证意见。
本院认证意见为：对豪威公司提交的证据1、2的真实性、合法性予以认定，关联性和证明力将结合全案事实予以综合认定。
证据3不属于公知常识证据，故对其三性不予认定。
国家知识产权局和思特威公司二审期间均未向本院提交新证据。
原审判决查明的事实基本属实，本院予以确认。
本院另查明，对比文件1公开了一种半导体及其方法，具体公开了：半导体器件10包括半导体衬底12，半导体衬底12中形成有电流电极（源/漏区）14，在电流电极14和上面的衬底12之间，形成栅电极16，栅电极16通过栅极氧化物15与衬底12分离。
半导体器件10还包括形成在电流电极14和栅电极16上表面上的硅化物区域20。
蚀刻停止层22覆盖沉积在衬底12、硅化区域20、电流电极14和栅电极16上。
蚀刻停止层由导电或金属材料形成，优选由导电氮化物（WNX）形成。
在沉积蚀刻停止层22以后，第一层的层间介电材料（ILD）沉积在半导体器件10上。
图案化并蚀刻层间电介质，以形成多个解除开口。
由于蚀刻停止层22是由导电材料支撑，所以在这核心开口中形成接触或局部互联之前，不需要从开口25中移除蚀刻终止材料。
在形成开口25后，在开口内形成局部互联或接触，以提高与电流电极14和栅电极16的必要电接触；
通过首先沉积氮化钛（TiN）层的胶层，然后沉积填充开口的较厚导电材料28；
如图4中所示，在沉积之后，对器件10进行化学机械抛光（CMP）操作，由此，除了在开口25内之外的所有区域中，导电层28和胶层26被从器件10上除去。
作为抛光的结果，形成多个导电柱/插塞29。
从图4可以明显地看出：导电柱29通过胶层26、蚀刻停止层、硅化物曾与栅极形成电连接；
且导电柱/插塞29就形成在有源区域上的所述绝缘层的一部分中；
从对比文件1的附图4-6可以明显看出：导电柱/插塞29形成在位于栅极氧化层15上的晶体管栅极的区域上。
对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，具体公开了：STI隔离层102为晶体管栅极108界定有源区域，如图4所示热氧化物的栅极绝缘层104与STI102起初相连。
本院再查明，根据中央机构改革部署，原国家知识产权局专利复审委员会的相关职责由国家知识产权局统一行使。
本院认为，本案二审的争议焦点问题为：本专利是否符合专利法第二十二条第三款的规定。
《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
”所谓实质性特点是指对本领域技术人员来说，该发明或者实用新型相对于现有技术是非显而易见的，所谓进步是指该发明或者实用新型与现有技术相比能够产生有益的技术效果。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，但是该一部分技术特征被另一篇现有技术公开，且该另一篇现有技术中给出了将该一部分技术特征应用于最接近现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，该另一部分技术特征为本领域的公知常识，且该另一部分技术特征的技术效果也是本领域技术人员可以预期的，则认为该权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术和公知常识的结合不具备创造性。
一、权利要求1是否具备创造性 本专利权利要求1请求保护一种电路。
对比文件1公开了一种半导体器件及其方法。
权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：1.栅极绝缘层的一部分为晶体管栅极界定有源区域；
2.蚀刻停止层包括Ti,且厚度为栅极厚度的1/4。
专利权人认为除上述区别技术特征外，还存在如下区别技术特征，分别是金属触点插塞与晶体管栅极形成电接触，并且其中所述金属触点形成于位于栅极氧化层的所述晶体管栅极的区域上，以及配置于晶体管栅极与绝缘层之间的蚀刻停止层。
对此，本院认为，对比文件1公开了导电柱通过胶层、蚀刻停止层、硅化物层与栅极形成电连接，在半导体领域，电接触的含义是能够形成导电连接即可，并不要求必须直接接触，可以实现导电的间接接触也属于电接触，且涉案专利权利要求1中也未限定必须是直接接触。
因此对比文件1具体公开的内容中实际上已经公开了专利权人豪威公司提出的上述技术特征，被诉决定对区别技术特征的认定无误，本院对豪威公司的该项主张不予支持。
基于前述认定的区别技术特征，权利要求1相对于对比文件1实际要解决的技术问题是：1.实现单个MOSFET的绝缘隔离；
2.提高蚀刻选择性，避免下方的栅极被过度刻蚀。
关于区别技术特征1，对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了STI隔离层为晶体管栅极界定有源区域，如图4所示热氧化物的栅极绝缘层与STI起初相连。
由此可知，对比文件2公开了利用绝缘层为晶体管栅极界定有源区域的区别技术特征，即区别技术特征1，且该特征在对比文件2中所起的作用与涉案专利相同，均为隔离绝缘MOSFET。
关于区别技术特征2，该技术特征虽然没有被对比文件2公开，但本领域技术人员在面对防止栅极被过度刻蚀的技术问题时，能够根据栅极刻蚀工艺需要合理选择各种常见的停止层材料并依照蚀刻速度合理选用停止层厚度，采用Ti作为硬质的蚀刻停止层从而提高防护效果，是本领域常用的用于蚀刻停止层的材料，属于本领域的公知常识，至于蚀刻的厚度，则是本领域技术人员根据蚀刻需要所做的选择，1/4厚度的选择并没有产生意想不到的技术效果。
综上，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和公知常识，从而得到本专利权利要求1的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见、无需经过创造性劳动的，权利要求1相对于对比文件1、2和公知常识的结合而言并未有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法关于创造性的认定。
被诉决定对此认定正确，本院予以确认。
二、权利要求9是否具备创造性 本专利权利要求9请求保护一种方法，对比文件1公开了一种半导体器件及其制造方法。
权利要求9与对比文件1的区别技术特征包括：1.在掺杂区域内形成第一隔离区域和第二隔离区域，使所述栅极氧化层的一部分保持在所述第一隔离区域和第二隔离区域之间；
2.蚀刻停止层包括Ti,且厚度为栅极厚度的1/4。
权利要求9相对于对比文件1要解决的问题是：1.实现单个MOSFET的绝缘隔离；
2.提高蚀刻选择性，避免下方的栅极被过度刻蚀。
关于区别技术特征1，如前所述，对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了STI隔离层为晶体管栅极界定有源区域，左右两边的STI隔离层分别相当于第一隔离区域和第二隔离区域，如图4所示热氧化物的栅极绝缘层与STI起初相连，相当于栅极氧化层的一部分保持在第一隔离区域和第二隔离区域之间。
由此可知，对比文件2公开了利用绝缘层为晶体管栅极界定有源区域的区别技术特征，即区别技术特征1，且该特征在对比文件2中所起的作用与涉案专利相同，均为隔离绝缘MOSFET。
关于区别技术特征2，如前所述，本领域技术人员在面对防止栅极被过度刻蚀的技术问题时，能够根据栅极刻蚀工艺需要合理选择各种常见的停止层材料并依照蚀刻速度合理选用停止层厚度，采用Ti作为硬质的蚀刻停止层从而提高防护效果，是本领域常用的用于蚀刻停止层的材料，属于本领域的公知常识，至于蚀刻的厚度，则是本领域技术人员根据蚀刻需要所做的选择，1/4厚度的选择并没有产生意想不到的技术效果。
综上，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和公知常识，从而得到本专利权利要求9的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见、无需经过创造性劳动的，权利要求9相对于对比文件1、2和公知常识的结合而言并未有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法关于创造性的认定。
被诉决定对此认定正确，本院予以确认。
三、权利要求11是否具备创造性 本专利权利要求11请求保护一种电器件，对比文件1公开了一种半导体器件。
权利要求11与对比文件1的区别技术特征包括：1.第一隔离区域和第二隔离区域各自位于所述有源区域的相对侧上；
2.蚀刻停止层包括Ti,且厚度为栅极厚度的1/4。
权利要求11相对于对比文件1要解决的问题是：1.实现单个MOSFET的绝缘隔离；
2.提高蚀刻选择性，避免下方的栅极被过度刻蚀。
关于区别技术特征1，如前所述，对比文件2公开了一种半导体器件及其方法，并具体公开了STI隔离层为晶体管栅极界定有源区域，如图4所示热氧化物的栅极绝缘层与STI起初相连，对比文件2中的左右两边的STI相当于第一隔离区域和第二隔离区域，其在有源区的相对侧上。
可见，对比文件2实际上已公开了区别技术特征1，且该特征在对比文件2中所起的作用与涉案专利相同，均为隔离绝缘MOSFET。
关于区别技术特征2，如前所述，本领域技术人员在面对防止栅极被过度刻蚀的技术问题时，能够根据栅极刻蚀工艺需要合理选择各种常见的停止层材料并依照蚀刻速度合理选用停止层厚度，采用Ti作为硬质的蚀刻停止层从而提高防护效果，是本领域常用的用于蚀刻停止层的材料，属于本领域的公知常识，至于蚀刻的厚度，则是本领域技术人员根据蚀刻需要所做的选择，1/4厚度的选择并没有产生意想不到的技术效果。
综上，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和公知常识，从而得到本专利权利要求11的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见、无需经过创造性劳动的，权利要求11相对于对比文件1、2和公知常识的结合而言并未有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法关于创造性的认定。
被诉决定对此认定正确，本院予以确认。
四、从属权利要求是否具备创造性 从属权利要求2引用权利要求1，对比文件1实际公开了栅极绝缘体为氧化层，即公开了从属权利要求2的附加技术特征。
从属权利要求3、4、6、7、8直接或间接引用权利要求1。
对比文件2公开了栅极绝缘体位于第一、第二隔离区域之间，晶体管栅极由掺杂多晶硅和金属硅化物组成，金属硅化物为硅化钨、硅化钦、硅化镍、硅化钻，金属触点插塞包括铝、钨、钛、钽、铜的金属，还具有保形沉积导电金属氮化物。
可见，对比文件2实际上已公开了从属权利要求3、4、6、7、8的附加技术特征。
从属权利要求5直接引用权利要求1，其附加技术特征为栅极绝缘体下衬底的一部分为N型掺杂物掺杂。
衬底用N型掺杂物掺杂在半导体领域属于惯用技术手段，因此该附加技术特征为本领域公知常识。
从属权利要求10直接引用独立权利要求9，本领域技术人员在面对提高栅线结合强度的技术问题时，可根据需要合理设置接触孔深度，执行部分过度刻蚀以使得沉积的金属伸入栅极中从而增大接触面积、提高结合强度，这对本领域技术人员而言是惯常技术手段。
从属权利要求12、13、14直接或间接引用自独立权利要求11。
其中，从属权利要求12的附加技术特征是所述存储器件是逻辑器件、CMOS成像器、CCD成像器或存储器件；
从属权利要求13的附加技术特征是所述存储器件是DRAM、SRAM或闪存器件；
从属权利要求14的附加技术特征是所述闪存器件基于NOR栅极技术。
而在半导体领域，上述附加技术特征均是本领域的惯常器件。
从属权利要求15直接引用权利要求11，对比文件2公开了图案化的金属化层形成在绝缘层上，且电耦合至金属触点插塞的上端。
可见，对比文件2实际上已公开了从属权利要求15的附加技术特征。
综上所述，在从属权利要求所引用的独立权利要求不具备创造性的基础下，从属权利要求亦不具备创造性。
被诉决定对此认定无误，本院亦予以确认。
五、关于原审法院是否存在程序问题 豪威公司上诉认为，原审程序存在违规情形。
对此，本院认为，首先关于案外人杨小军，根据已查明的事实和原审庭审笔录的记载，杨小军并非本案当事人或利害关系人，且实际未参加本案原审庭审，豪威公司、国知局和思特威公司均对此予以确认。
可见，此处应系原审法院笔误，本院在此予以纠正。
其次，关于原审法院是否超范围裁判的问题。
对此，本院认为，被诉决定采用对比文件1结合对比文件2和公知常识的组合判断涉案专利是否具备创造性，原审法院虽未明确对此予以表述，但事实上并未超出这一组合方式对涉案专利的创造性予以判断，故对豪威公司的该项上诉意见，本院不予支持。
再次，关于第三人逾期提交证据的问题。
根据原审庭审笔录明确记载，第三人思特威公司原审阶段提交的五份公知常识材料仅作为参考资料而非证据，故原审阶段不存在豪威公司所述逾期提交证据的情况，因此豪威公司该项意见，本院亦不予支持。
综上所述，豪威公司上诉理由不能成立，应予驳回。
原审判决认定事实清楚，适用法律无误，应予维持。
依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项规定，判决如下： 驳回上诉，维持原判。
二审案件受理费100元，由豪威科技股份有限公司负担。
本判决为终审判决。
审判长 徐卓斌 审判员 邓 卓 审判员 雷艳珍 二〇二〇年十二月二日 法官助理周雷 书记员王倩倩 裁判要点 案 号 （2020）最高法知行终36号 案 由 发明专利权无效行政纠纷 合 议 庭 审判长：徐卓斌 审判员：雷艳珍、邓卓 法官助理：周雷 书记员：王倩倩 裁判日期 2020年12月2日 涉案专利 ZL2009XXXX4512.8，名称为“具有栅极有源区域上的触点的晶体管” 关 键 词 发明专利；
创造性 当 事 人 上诉人（原审原告）：豪威科技股份有限公司；
被上诉人（原审被告）：中华人民共和国国家知识产权局；
原审第三人：江苏思特威电子科技有限公司 裁判结果 驳回上诉，维持原判。
原审裁判：驳回豪威科技股份有限公司的诉讼请求。
被诉决定：宣告ZL2009XXXX4512.8号发明专利权全部无效 相关法条 《中华人民共和国专利法》第二十二条第三款 法律问题 创造性的认定 裁判观点 “创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
”所谓实质性特点是指对本领域技术人员来说，该发明或者实用新型相对于现有技术是非显而易见的，所谓进步是指该发明或者实用新型与现有技术相比能够产生有益的技术效果。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，但是该一部分技术特征被另一篇现有技术公开，且该另一篇现有技术中给出了将该一部分技术特征应用于最接近现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，该另一部分技术特征为本领域的公知常识，且该另一部分技术特征的技术效果也是本领域技术人员可以预期的，则认为该权利要求请求保护的技术方案相对于现有技术和公知常识的结合不具备创造性。
注：本摘要并非判决书之组成部分，不具有法律效力。